收藏本站
AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
A
RCHIVE INFORMATION
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF281SR1 MRF281ZR1
Table 4. Common Source S--Parameters at VDS
=26Vdc,ID
= 250 mAdc
f
GHz
S11
S21
S12
S22
|S11|
∠
φ
dB
∠
φ
|S12|
∠
φ
|S22|
∠
φ
0.1
.982
-28
18.9
160
.008
73
.851
-13
0.2
.947
-52
17.0
143
.015
58
.811
-25
0.3
.912
-73
15.0
129
.019
45
.770
-33
0.4
.886
-90
12.9
117
.022
36
.741
-42
0.5
.859
-103
11.1
108
.022
28
.719
-47
0.6
.854
-114
9.69
100
.023
23
.718
-51
0.7
.841
-123
8.54
93
.022
18
.709
-56
0.8
.837
-131
7.57
87
.021
15
.714
-59
0.9
.838
-138
6.69
81
.019
12
.719
-62
1.0
.841
-143
6.01
76
.018
11
.728
-64
1.1
.840
-149
5.41
72
.015
12
.742
-66
1.2
.849
-153
4.91
68
.013
13
.745
-68
1.3
.848
-158
4.51
64
.012
18
.758
-69
1.4
.856
-162
4.12
60
.010
26
.769
-70
1.5
.858
-167
3.78
57
.009
36
.786
-70
1.6
.871
-170
3.50
54
.008
54
.797
-72
1.7
.868
-173
3.22
51
.009
69
.808
-71
1.8
.870
-176
3.00
49
.009
82
.823
-72
1.9
.872
-180
2.80
46
.011
95
.828
-72
2.0
.877
178
2.63
44
.013
104
.845
-72
2.1
.876
174
2.47
41
.015
109
.843
-72
2.2
.880
171
2.36
39
.018
111
.859
-71
2.3
.882
168
2.21
36
.021
114
.858
-72
2.4
.886
165
2.12
34
.024
114
.872
-70
2.5
.896
162
1.97
32
.027
115
.863
-70
2.6
.897
158
1.89
29
.029
117
.873
-69
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
MRF282SR1 IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S
MRF372R3 IC MOSFET RF N-CHAN NI-860C3
MRF373ALSR5 MOSFET RF N-CHAN 32V 75W NI-360S
MRF374A IC MOSFET RF N-CHAN NI-650
MRF377HR3 MOSFET RF N-CHAN 32V 45W NI-860C
MRF5P20180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
MRF5P21045NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF5P21180HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 38W NI-1230
相关代理商/技术参数
MRF282 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF282S 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF282SR1 功能描述:IC MOSFET RF N-CHAN NI-200S RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:- 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷 (TR) 产品目录页面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF282Z 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFETs
MRF282ZR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF PWR FET SOE PKG RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF284 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF284C 制造商:Motorola Inc 功能描述:284C
MRF284LR1 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: